半导体引线键合工艺等离子清洗机理是什么？

等离子清洗的机理类似于紫外臭氧清洗。一些O2可以电离，一些O2分解成原子氧O+O，然后与碳氢化合物反应生成H2O和CO2。被激发的氧原子也会受到能量轰击，这有助于分解碳氢化合物分子并带走污染物。

电离的氩气虽然不会形成稳定的化合物，但它可能会与碳或其他污染物形成瞬时的亚稳态化合物，这些化合物被去除然后分解，与这种气态等离子体一起通过泵排出。氩的原子量是氧的两倍以上，可以通过冲击（溅射）去除各种形式的污染物。

通常，仅用氩气去除有机污染物的时间是O2+Ar的两倍，因此使用氧氩混合气等离子清洗的频率更高。

例如，氩气、氧气或其混合物的工艺参数，100～200W的射频功率，0.5Torr的气压和10min左右的清洗时间，这些参数可以提高陶瓷基板引线键合的可键合性和可靠性。可能需要更多的时间或功率来清除厚环氧树脂中的溢出物或其他污染物。如果器件容易损坏，可采用的工艺参数为射频功率75W，O2等离子清洗3min或4min。已获得引线键合的清洁程序和时间表。超过 300W 的射频功率可能会因样品过热和/或辐射脱金属而造成损坏，并可能改变设备的电气特性。