根据清洗介质的不同，半导体清洗技术可分为湿法清洗和干法清洗两条分支路线。目前，湿法清洗是主流技术路线，占芯片制造清洗步骤数量的90%以上。
所谓湿法清洗是指利用溶液、酸碱、表面活性剂、水及其混合物，使硅片表面的杂质与溶剂发生化学反应，生成可溶性物质、气体或直接脱落，从而达到清洗硅片的目的。
以下是湿法清洗技术的不同方法及优缺点，仅供参考！
溶液浸渍法
适用范围广，针对不同的杂质可选择不同的化学药液；产能高，可同时进行多片晶圆浸渍工艺；成本低，分配给每个晶圆的化学品消耗更少；容易引起交叉污染。
喷涂方式
减少药液用量，通过改变喷洒水滴大小和调节大小来调节冲击力，获得细小均匀的水滴是关键技术。
机械擦洗
成本低，工艺简单，去除微米级大颗粒效果好；清洗介质一般为水，应用范围有限；很容易对晶圆造成损坏。一般用于机械抛光后大颗粒的去除和背颗粒的去除。
二流体清洗
效率高，广泛用于辅助去除颗粒的清洗步骤；晶圆精细图形结构存在损坏风险，去除小尺寸颗粒的能力不足。
超声波/兆声波清洗
超声波可以去除附着在晶圆表面的大块污染和颗粒；容易对晶圆图形结构造成损伤。兆声波对小颗粒的去除效果佳，在清洗高纵横比结构方面优势明显。在精确控制空化气泡后，兆声波还可以应用于晶圆精细图形结构的清洗；成本相对较高。
批量旋转喷雾
与传统的储罐清洗相比，化学药液的使用量更低；机器占地面积小；化学液体之间存在交叉污染的风险。如果单片晶圆产生碎片，整个清洗腔室中的所有晶圆都将被毁坏。存在报废风险。
