长期以来,分子级清洁方法一直用于去除晶圆生产过程各个阶段的污染物,并且是确保高产量的绝对必要条件。高产(晶圆)引线键合只有在键合表面干净的情况下才有可能。
90 年代之前,几乎没有考虑专门设计用于提高焊线良率和可靠性的清洁步骤。现代的ULSI(Ultra Large Scale Integration,超大规模集成)器件拥有数十万个IO和焊线点,必须满足早年难以想象的封装良率和可靠性要求。
由于每个芯片引线键合(和其他互连方法)已成为提高封装良率的大驱动力。
然而,现代的键合焊盘金属层普遍比过去更硬,金属层中可能包含各种添加剂,晶圆的反应离子处理在表面留下卤素和碳膜,所有这些都可能限制引线键合率,抑制粘合性,并影响可靠性。
由于芯片的生产工艺繁琐,供应来源多样,有时芯片的长期存放和裸芯片键合过程中使用的聚合物/环氧树脂的污染,在高可靠性 MCM/SIP/混合电路行业 在键合前使用分子级清洗方法,此方法已扩展到其他封装领域,有时用于大批量 IC 封装。