冰喷射在半导体及3C电子行业表面去污领域发展

一种使用直径为 0.1–300 μm 的细超洁净冰粒对半导体晶圆进行去污的方法。通过调整冰粒硬度、射流压力和射流角度来控制对晶圆表面的影响。它可以准确地去除晶圆表面的亚微米颗粒（直径<0.3um）和有机污染物，如指纹、油脂和油性墨水。通过添加加速冰射流的机制改进了这种去污方法。这些电极由高频交流电源连接，每个电极在冰粒运动方向上的长度是可以调节的。

根据冰粒的速度进行调整。去污方法的另一种改进是使用含有过氧化氢的冰粒，用从融化的冰粒-H2O2混合物中得到的H2O2溶液对表面进行物理和化学去污。

许多研究使用冰喷雾去污方法对晶圆进行去污，并评估了去污过程的主要变量对去污效率的影响。冰粒去污效率大于95%。去污效率受颗粒的质量浓度、腔室压力和喷嘴与基板之间的距离的影响。

冰喷射已成功用于去除计算机硬盘驱动器上的污染物。硬盘表面喷漆，然后用35g/min的冰流量和直径0.5~3mm的冰粒对硬盘表面进行喷砂处理2分钟。去污后硬盘正常运行，硬盘上的音频文件声音没有变化。其他示例包括液晶显示器、电路板、太阳能电池板组件、光学组件的放大镜的去污，以及从薄膜表面到基材的去污，这些去污在去污后对表面进行目视或显微镜检查时未观察到损害。